【扩散工艺Diffusion Process】半导体扩散工艺，生产中的扩散指工艺所需要的杂质在一定条件下对硅（或其他衬底）的掺杂。
如在硅中掺磷、硼等。广义上讲，氧化与退火也是一种扩散；前者指氧气在SiO2中的扩散，后者指杂质在硅（或其他衬底）中的扩散。其目的是为了改变原材料的电学特性或化学特性。【薄膜工艺Film Process】半导体薄膜工艺，生产中的薄膜指通过蒸镀、溅射、沉积等工艺将所需物质铺盖在基片的表层，根据其过程的气相变化特性，可分为PVD与CVD两大类。【光刻工艺 Litho Process】半导体光刻工艺，通过一系列生产步骤（主要包含涂胶，曝光，显影），将晶圆表面的薄膜与光刻板中的图形做相同动作的选择性的显开或遮蔽。而光刻机的图形转移能力（最小线宽）是整条工艺线的重要指标，这与设计时可做的集成度大小有直接关联。【刻蚀工艺Etch Process】半导体刻蚀工艺，实际上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。在半导体制程中，刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，在光刻的基础上有选择地进行图形的转移。 刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。
