多孔真空硅的发光寿命短主要有以下几个原因：

1. 缺陷引起的非辐射复合：多孔真空硅制备过程中，常常会引入各种缺陷，如晶格缺陷、表面缺陷等。

这些缺陷会导致电子和空穴在非辐射复合的情况下重新结合，而不是通过辐射复合发光。非辐射复合会导致发光效率降低，从而减少发光寿命。

2. 器件表面复合：在多孔真空硅表面，由于硅表面的化学性质和表面态的存在，会引起电子和空穴在器件表面非辐射复合。与缺陷引起的非辐射复合类似，器件表面复合也会降低发光效率和发光寿命。

3. 缺乏有效的光子限制结构：多孔真空硅中的光子限制结构较弱，光子在其中传播的路径较长，易于扩散出去，导致发光强度减弱。在较长的传播路径上，光子与缺陷等相互作用的机会增加，进一步影响发光寿命。综上所述，多孔真空硅发光寿命短主要是由缺陷引起的非辐射复合、器件表面复合以及缺乏有效的光子限制结构等原因导致的。为了提高多孔真空硅的发光寿命，需要进一步优化材料制备过程，减少缺陷引入，并设计合适的光子限制结构，降低电子和空穴的非辐射复合效应。