55纳米BCD工艺是一种广泛应用于功率管理集成电路（Power Management IC，简称PMIC）和汽车电子领域的工艺。

BCD代表的是Bipolar－CMOS－DMOS的缩写，这种工艺结合了三个不同类型的晶体管，即同质结双极晶体管（Bipolar）、互补型金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOS）和双极型金属氧化物半导体场效应晶体管（DMOS），以实现高性能的集成电路设计。

55纳米BCD工艺具有低漏电流、低电阻、高噪声抑制和较小的体积等优点，能够满足高效、高速、高稳定性和高可靠性等要求，特别适用于大功率、高电压和高频率的电路设计，如电源管理、DC-DC转换器、RF收发器、驱动芯片等。在汽车电子领域中，55纳米BCD工艺也被广泛应用于电机驱动、车载娱乐和安全系统、传感器信号处理等方面。